MOS结构相关论文
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对......
用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特......
本文对A1/SiO/Si系统MOS电容分别在总剂量辐照和热载子注入下的损伤和电参数响应特性进行了比较,并通过对MOS结构进行不同顺序的热......
给出了超薄栅 MOS结构中直接隧穿弛豫谱 ( DTRS)技术的细节描述 ,同时在超薄栅氧化层 (...
基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和......
期刊
在神经元 MOS基本工作原理的基础上 ,提出了一种新型的匹配滤波器结构 ,并对具体电路进行了分析 .与传统的匹配滤波器相比 ,具有结......
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 .通过实验和模拟对氧化层陷......
硅、锗MOS结构是硅基和锗基半导体器件的基本结构单元,作为集成电路基本器件单元的MOSFET和CMOS中的栅区就是典型的MOS结构。MOS结......
InAs/AlSbHEMT具有高电子迁移率,高电子饱和漂移速度,高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速,低功耗,以及低噪声应用最具竞争力的......
实践证明,适量三氯乙烯(C_2HCl_3)参与Si 热氧化,能改善Si—SiO_2系统的性质.同时发现,Si—SiO_2系统的一些特性随氧化时掺C_2HCl......
根据电子输运的“双群理论”计算出电子在Ｓｉ－ＳｉＯ２材料中的能量沉积．用与硅等效的外推电离室测定了１．０ＭｅＶ和１．５ＭｅＶ的电子束在ＭＯＳ电容芯片中的吸收剂量．用Ｘ光电......
本文用热激电流法测量了MOS结构在77K～600K温度范围的热激电流谱。热激流谱从低温到高温给出了SiO_2-Si界面的界面态、Si表面体深能......
本文建议利用MOS结构对阶跃电压的I-t和C-t响应,采用由Rabbani提出的较精确的体产生区模型测量体产生寿命和表面产生速度,既不需要......
本文分析了MOS结构的电流和电容对阶跃电压的瞬态响应过程.应用较精确的产生区模型,提出了由脉冲MOS结构的I-C瞬态曲线确定产生寿......
本工作利用TSIC和B—T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_......
研究了快速热生长二氧化硅MOS结构的负偏压温度不稳定性。这种MOS结构在未经受过金属化后热处理时有室温负偏压不稳定性,但热处理......
本文用深能级瞬态谱(DLTS)、X-光电子谱(XPS)与俄歇电子谱(AES)研究了室温下1.5MeV、9.0MeV电子和2.0MeV H~+离子(剂量10~(12)—10......
书写器文档氟对ＭＯＳ结构中辐射激发扩散／抗辐射加固特性／阈值电压的影响＝刊．俄］／－１９９３．２２（１）．－２７～２９通常，在５７０～７５０Ｋ温度下研究辐射－激发扩散现象。在这种情况下，热扩散对全......
辐射场效应管(RADFET)γ剂量探测器现在己经广泛应用到宇航、核电站和核医疗等部门的γ辐射剂量测量。RADFET γ剂量探测器是......
低温ＭＯＳ器件因为其固有的高迁移率和优越的亚阈区特性而受到人们的重视。量子化效应对ＭＯＳＦＥＴ反型层载流子浓度和开启电压等特性会产生显著影......
该文从载流子在ＭＯＳＳ结构反型层内的分布特性出发，提出了表面有效态度（ＳＬＥＤＯＳ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｌａｙｅｒ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｄｅｎｓｉｔｙ－ｏｆ－Ｓｔａｔｅｓ）的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子......
本文报导了一种非破坏性无毒、无污染、重复性好的MOS结构新型电极。可用平衡态C-V、准静态C-V和瞬态C-t测试、温—偏处理等工艺监......
微电子学在当今新技术革命中占有核心地位，大规模集成电路的普遍使用既是微电子学发展的重要成果，也是其重要标志。然而随着器件尺寸......
InAs/AlSb HEMT具有高电子迁移率，高电子饱和漂移速度，高2DEG面密度。这些特点使它成为了高速，低功耗，以及低噪声应用最具竞争力的器件......
超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了镍纳米晶镶嵌在MOS(金属—氧化物一半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性.制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶.采用......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它......
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实......
金属-二氧化硅-半导体（MOS）结构对于SiO2-Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐......
高频ＭＯＳＣ－Ｖ特性测量中异常现象分析张光春，曲果丽，许汝民，张玉生（山东工业大学电子工程系济南２５００１４）ＭＯＳ结构的Ｃ－Ｖ分析技术在半导体工艺控制和测量中，已经得......
本文用深能级瞬态谱(DLTS)、X-光电子谱(XPS)与俄歇电子谱(AES)研究了室温下1.5MeV、9.0MeV电子和2.0MeV H~+离子(剂量10~(12)—10......
在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上，提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型，它也可以看作是对Zerb......
利用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(100)晶向硅衬底材料上制作的MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁(EPR)吸收谱,对比了电子......
采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率......
利用MEMS技术，在硅平面上经过热氧化、掺杂、溅射、光刻、清洗等工艺，制成MOS结构的氨敏传感器，并将双加热器和测温器集成于一体．该传......
本文在分析已有的深耗尽态下半导体表面产生区宽度模型的基础上,提出了一个可用于由MOS结构的电容时间瞬态特性直接计算产生寿命的......
